Modeling Electrical Behaviour and Temperature Dependency of Amorphous Thin Film Solar Cells
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE20_284
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1279
نویسندگان
National Iranian Oil Company, POGC
Shahid Chamran University of Ahwaz
چکیده
Introducing Ge atoms to the Si lattice in Si-based solar cells are an effective approach in improving their characteristics. Especially, current density of the cell can be enhanced withoutdeteriorating its open circuit voltage. In this work a new modeling approach is developed and used for optimization andefficiency enhancement of single and double junction heterostructure solar cells based on the optimization of i-layer and player properties. Also the temperature dependency of theelectrical behaviour of the amorphous silicon thin film heterostructure solar cell such as I-V curve and Electron current density is investigated. After optimizing the parameters of i-layer and p-layer of solar cell, a double-junction solar cell with JSC=267A/m2, VOC=1.13V, FF=0.795, and efficiency of 23.5% has been achieved at T=300 K.کلیدواژه ها
Amorphous Silicon, Amorphous Silicon- Germanium, solar cell simulation, temperature dependencyمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.