Full Adder Design with GDI Cell and Independent Double Gate Transistor

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE20_214
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1551
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Soolmaz Abbasalizadeh

University of Tehran

Behjat Forouzandeh

چکیده

This paper proposes 1 bit full adder using double-gate FinFet transistor and Gate Diffusion Input (GDI) technique. Using GDI cell makes it possible to reduce the number oftransistors and merging this technique with double gate process causes further reduction in power and delay. Although, doublegate transistors with independent gates are the choice for low power design, we use both dependent and independent gates in proposed circuit to achieve lower power. This issue is related toGDI cell properties which is discussed in more details in this paper. Simulations are performed on 45nm providing a subcircuitmodel for FinFET from PTM and 1V supply voltage. According to our simulation result, the proposed full adder isbetter than prior designs in terms of power and power*delay

کلیدواژه ها

Double-Gate FinFet; logic circuit; GDI cell; low power; full adder

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.