Investigation of the Geometrical Effects on Nanoscale Filed Effect Diodes
- سال انتشار: 1391
- محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE20_208
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1267
نویسندگان
Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology
Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology,
Electrical and Computer Engineering Department, University of Tehran
چکیده
In this paper, the previously proposed Modified Field Effect Diode (M-FED) has been more accurately studied and its current-voltage characteristics have been extracted numericallyby MINIMOS-NT device simulator. Simulations using this program provided the opportunity to study the effect of differentdevice parameters on the overall device performance. Our numerical results show the geometrical effects on the M-FED performance. Several parameters have to be scaled down suchas gate oxide thickness, channel length, the body thickness and the spacer length between two gates to achieve desirableelectrical characteristic. We demonstrate that a well-tempered device with a high switching response and lower energyconsumption can be achieved with a 30nm body thickness, 2nm gate oxide thickness, and 5nm spacer lengthکلیدواژه ها
Modified field effect diode, Optimization, Gate delay time, Energy-delay productمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.