Transmission Line Model (TLM) Method Study of Nanostructural AuGeNi/n-GaAs Ohmic Contact Layer for Different Substrate Deposition Temperature

  • سال انتشار: 1391
  • محل انتشار: بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE20_077
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1158
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

M. Khani

Departmentof Physics, University of Tarbiat Moallem

S. S. Mousavi

A. Hodaei

A. Goodarzi

Iranian National Centre for Laser Science and Technology

چکیده

Because of the importance of ohmic contact in semiconductor devices, in this study, AuGeNi thin films were depositedby thermal evaporation technique at substratedeposition temperaturefrom 80 °C to 230 °C andannealed at the same conditions. Thencontact resistivity and surface morphology was investigated. Surface morphology wasinvestigatedby Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM). The compositions of differentzones have been determined by use of x- ray Energy-Dispersive Spectrum (EDS) analysis. Contact resistivity of the samples ismeasured using a conventional Transmission Line model (TLM) method.So from the I-V curves and the other mentioned analysis results, it is concluded that the sample which was deposited at180°C indicates the best electrical and morphological properties.

کلیدواژه ها

Ohmic contact, substrate temperature, AuGeNi/n-GaAs, Transmission Line model (TLM

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.