Analysis of Different Hot Carrier Effects on Self-Assembled InAs/GaAs QDIP Dynamic Response Using Circuit Model

  • سال انتشار: 1390
  • محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE19_520
  • زبان مقاله: انگلیسی
  • تعداد مشاهده: 1258
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

Ali Mir

Lorestan University,

Vahid Ahmadi

Tarbiat Modares University

چکیده

In this paper, based on the dynamic behavior of the self-assembled InAs/GaAs quantum dot (QD) infrared photodetectors (QDIPs), we present a set of rate equations. These rate equations are used to circuit modeling for the dynamic simulation of QDIP. By using the presented circuit model, effects of carrier dynamics on QDIP investigated. Theeffect of relaxation times on the frequency response and transient analysis of the self assembled QDIP, like excited state and wetting layer to ground state are studied. About 100 GHz is the predicted 3-dB cut off frequency for the evaluated InAs/GaAs QDIP.

کلیدواژه ها

Circuit model, Frequency response, QDIP, Relaxation process

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.