مدلسازی تحلیلی خواص الکترومغناطیسی سطوح امپدانسی مصنوعی1AIS
محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 882
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE19_343
تاریخ نمایه سازی: 14 مرداد 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله یک روش تحلیلی دقیق و مفید برای استخراج خواص الکترومغناطیسی سطوح امپدانسی مصنوعی مورد بررسی قرارمی گیرد. در این مقاله نشان داده شده است که اگر این سطوح تحت تابش مایل امواج صفحه ای( منتشر شونده یا میرا شونده) با پلاریزاسیونهایTM و TEبه عنوان سیگنال های تست) قرار گیرند میتوان با محاسبه امپدانس سطحی و ضریب انعکاس سطح ، رفتار الکترومغناطیسی آنها مثل باند های EBG و 3 AMC و سایر خواص الکترومغناطیسی ساختار را بدست آورد. خاصیت AMC این سطوح به کمک تابش امواج صفحه ای منتشر شونده به این ساختارها ومحاسبه فاز ضریب انعکاس و خاصیتEBG آنها به کمک تابش امواج صفحه ای میرا شونده به آنهاومحاسبه قطب ها( نقاط تکین )ضریب انعکاس به طور تحلیلی قابل استخراج می باشند. روش تحلیلی ارائه شده روی چند ساختار امپدانسی مصنوعی مثل: دی الکتریک زمین شده 4 ، دی الکتریک زمین شده با لتیس متناوبی از پین های فلزی که درون آن کاشته شده اند 5 ( محیطسیمی WM) و دی الکتریک زمین شده که روی آن آرایه ای متناوب از پچ های فلزی قرار دارند 7 اعمال شده وشبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی صحت نتایج روش تحلیلی را مورد تایید قرار داده اند
کلیدواژه ها:
سطح امپدانس مصنوعیAIS)هادی مغناطیسی مصنوعیAMC)مدلسازی تحلیلی سطوح امپدانسی ، ساختار های باندممنوعه الکترو مغناطیسیEBG)
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :