بررسی میزان تراکم ناخالصی درآشکارساز PV-InSb برای داشتن بیشینه مقاومت

  • سال انتشار: 1390
  • محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE19_335
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 805
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

محسن مرادی

صنایع قطعات نیمه هادی صنعت آپتوالکترونیک

محمد دارایی

مرتضی راستگو

علی اوسط علیپور

چکیده

مادراین مقاله با شبیه سازی و ساخت سه نوع فتودیود مادون قرمز InSb نشان میدهیم که باانتخاب تراکم ناخالصی 2×10 15 Cm-3 برای نوع n- و 1×10 18cm-3 برای نوع -p حساسه بیشینه مقاومت خود را نسبت به تراکم های دیگر دارد دراین شرایط بیشینه مقاومت از بایاس صفر تاحدود 300-mV وجود دارد که بازه مجاز بایاس آشکارساز درشرایط بهینه را نشان میدهد دراین حالت حساسه ای با حاصلضرب مقاومت درمساحت 1/4×10 5QCM2 دربایاس 50-mV ساخته شده است.

کلیدواژه ها

مقاومت دینامیکی، فتودیود ایندیوم آنتیموناید، تراکم ناخالصی، آشکارسازی D

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.