Investigation of Double Recessed Gate SiC MESFETs with Different Recessed Lengths
- سال انتشار: 1390
- محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE19_329
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1159
نویسندگان
Electrical Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran
Electrical Engineering Department, Semnan University, Semnan, Iran
Electrical Engineering Department, Sabzevar Tarbiat Moallem University, Sabzevar, Iran
چکیده
This paper compares the Double Recessed Gate (DRG) Silicon carbide (SiC) based metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) with different double recessed gate lengths (Ldrg). We investigate the device performance focusing on breakdown voltage, DC trans-conductance, threshold voltage, short channel effect, drain current, DC output conductance, and gate capacitance with twodimensional and two-carrier device simulations. Our simulation results demonstrate that with increasing the Ldrg in the DRG structure, the saturated drain current, short channel effects and the DC output conductance are reduced and the threshold voltage has positive shift. Increasing the Ldrg in the drain side reduces the gate capacitance and increases the breakdown voltage. Also, increasing the Ldrg in the source side increases the DC trans-conductanceکلیدواژه ها
SiC, MESFET, double recessed gate, simulationمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.