بررسی امکان کوپل میدان نوری دایپل الکتریکی به نانوآنتن بوتای

در این مقاله، تغییر مشخصات رزونانسی نانوآنتن بوتای با ابعاد ثابت با تغییر ارتفاع نانوآنتن نسبت به سطح زیرلایه ی سیلیکنی مورد برر سی قرار گرفته است. نانوآنتن بوتای از جنس طلا و ابعاد فیزیکی آن برای رزونانس در طول موج مرکزی باند c، ۱/۵۵ میکرومتر طراحی شده است. نتایج شبیه سازی سه بعدی مبتنی بر روش عددی FDTD نشان می دهد که تغییر سطح آنتن از زیرلایه سیلیکنی موجب شیفت طول موج رزونان سی نانوآنتن می گردد، به طوری که با افزایش ارتفاع آنتن شاهد شیفت آبی طول موج رزونان سی بهسنت طول موج های کمتر می باشیم.کوپل میدان الکتریکی نوری به فضای گپ نانومتری نانوآنتن پلا سمونیکی بوتای موجب رزونانس و تقویت میدان الکتریکی نوری درفضایی با ابعاد زیر طول موجی می شود. این پدیده امکان بهره گیری از این میدان تقویت شده را در کاربردهای متنوعی چونسنسورهای نوری، ذخیره داده در فضاهای با ابعاد نانو/میکرومتری، مطالعه نور غیرخطی، ارتباطات داده و ... را فراهم می نماید

کلیدواژه ها:

نانوآنتن بوتای ، کوپل رزونانسی ، میدان تقویت شده ، پلاسمونیک