Analysis of a Source Hetrojunction LDMOS Device with Strained Silicon Channel
- سال انتشار: 1390
- محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ICEE19_211
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 1102
نویسندگان
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran
چکیده
In this paper we propose a novel power MOSFET employing a source and drain hetrojunction as well as a thin strained silicon layer at the top of the channel and N-Drift regions. We discuss the physics involved in the operation of this device. Analysis using a 2D device simulator indicates improvements of 36.6%, 22.6% and 10% in current drivability, transconductance and cut off frequency respectively as compared with the traditional LDMOS structure. However, these improvements are accompanied by a suppression of 10% in the break down voltageکلیدواژه ها
SHOT LDMOS, POWER MOSFET, (RADIO) HIGH FREQUENCYمقالات مرتبط جدید
- سیستم تشخیص نفوذ در محیط رایانش ابری با استفاده از یادگیری ویژ گی
- کاهش هزینه تعمیراتی ماشین های سنگین از طریق بهبود الگوریتم درخت تصمیم با الگوریتم های انتخاب ویژگی Information Gain ،Correlation و SVM
- پردازش کوانتومی تصاویر پزشکی و تشخیص لبه آن با استفاده از الگوریتم QHED
- بررسی و مقایسه روشهای تشخیص اکانت های جعلی در شبکه های اجتماعی
- مکان یابی و مقدار بهینه منابع تولید پراکنده به منظورکاهش تلفات و بهبود انحراف ولتاژ شبکه نامتعادل توزیع
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.