بررسی و شبیه سازی اثرتغییرات آلایش سورس و درین برعملکرد دیود اثرمیدانی نانومتری

  • سال انتشار: 1390
  • محل انتشار: نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران
  • کد COI اختصاصی: ICEE19_097
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1057
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

نگین معنوی زاده

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

فرشید رئیسی

ابراهیم اصل سلیمانی

آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک و نانوالکترونیک دانشگاه تهران

مهدی پورفتح

انیستیتو میکروالکترونیک دانشگاه صنعتی وین

چکیده

هدف این مقاله بررسی اثرتغییرات میزانآلایش سورس و درین با عملکرد دیود اثرمیدانی اصلاح شده Modified-FEDاست ساختار این دیود مشابه با یک MOSFET می باشد بطوریکه الایش سورس و درین آن متفاوت بوده و از هر دو آلایش نوع p,n تشکیل شده و همچنین دارای دو گیت برروی کانال است این افزاره قابلیت روشن وخاموش شدن با ولتاژ گیت ها را دارد نتایج حاصل از شبیه سازی این افزاره با استفاده ازنرم افزار ise-TCAD نشان میدهد که این افزاره با قابلیت ترانزیستوری با اعمال ولتاژ حالت خاموشی جریان بسیار اندکی را عبور میدهد به منظور یافتن میزان بهینه آلایش سورس و درین این افزاره درآلایش های 17 10 و 19 10 و 21 10cm-3 شبیه سازی شده و نتایج حاصله دراین مقاله ارایه شده است از این رو مشخصه جریان پروفایل چگالی حامل ها نوارهای انرژی و همچنین موبیلیتی حامل ها مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که بهینه مقدار آلایش سورس و درین برای چنین ساختاری 21 10 cm-3 می باشد که درآن نسبت Ion/Ioff افزاره از مرتبه بزرگی 5 10 بوده که مقدار قابل توجهی به شمار می اید

کلیدواژه ها

آلایش سورس و درین، اثرات کانال کوتاه، ترانزیستورهای اثرمیدانی MOS، دیود اثرمیدانی FED

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.