Design of nanoscale self switching diodes with high rectification ratio based on two-dimensional semiconductor hBCN

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 25

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_IJND-13-4_006

تاریخ نمایه سازی: 12 مهر 1401

چکیده مقاله:

In this paper, we present a new self-switching diode (SSD) realized with a two-dimensional semiconductor hexagonal boron carbon-nitrogen (hBCN) monolayer. Channel length and width are ۴.۵ nm and ۱.۲۳ nm respectively. The device operation is simulated based on the Extended Huckel method and Nonequilibrium Green’s Function (NEGF) Formalism. The simulation results indicate non-linear I-V characteristics of the nano-diode and a current rectification ratio near ۱۱۲۵۰ that is higher than previous SSD structures reported before. Also, the effects of channel width on the electrical characteristics of SSDs are investigated. It can be found that the bandgap value of hBCN plays an important role in the modulation of current in the channel. Transmission pathways are provided under reverse and forward biases to show channel opening and pinch-off conditions. The results indicate that hBCN is a promising material for the realization of self-switching diodes (SSDs).

کلیدواژه ها:

نویسندگان

Ashkan Horri

Young Researchers and Elite Club, Arak Branch, Islamic Azad University, Arak, Iran.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Song A. M., Missous M., Omling P., (۲۰۰۳), Unidirectional electron ...
  • Farhi G., Saracco E., Beerens J., (۲۰۰۷), Electrical characteristics and ...
  • Irshaid M. Y., Balocco C., Luo Y., (۲۰۱۱), Zinc-oxide-based planar ...
  • Kettle J., Perks R. M., Holye R. T., (۲۰۰۹), Fabrication ...
  • Al-Dirini F., Hossain F. M., Nirmalathas A., (۲۰۱۴), Asymmetrically-gated graphene ...
  • Horri A., Faez R., (۲۰۱۹), Full-quantum simulation of graphene self-switching ...
  • Al-Dirini F., Hossain F. M., Mohammed M. A., (۲۰۱۶), Monolayer ...
  • Al-Dirini F., Hossain F. M., Mohammed M. A., (۲۰۱۵), Highly ...
  • Cortes-Mestizo I. E., Briones E., Briones J., (۲۰۱۶), Study of ...
  • Ci L. J. , Jin C., Jariwala D., Wu D., ...
  • Zhu J., Bhandary S., Sanyal B., Ottosson H., (۲۰۱۱), Interpolation ...
  • Nehate S. D., Saikumar A. K., Prakash A., Sundaram K. ...
  • Ebrahimi M., Horri A., Sanaeepur M., Tavakoli M. B., (۲۰۲۰), ...
  • Fiori G., Betti A., Bruzzone S., Iannaccone G., (۲۰۱۲), Lateral ...
  • Wolfsberg M., Helmholz L., (۱۹۵۲), The spectra and electronic structure ...
  • Al-Dirini F., Mohammed M. A., Hossain F. M., (۲۰۱۵), Tunable ...
  • Guo J., Datta S., Lundstrom M., (۲۰۰۴), Toward multiscale modeling ...
  • Naderi A., Abdi Tahne B., (۲۰۱۷), Band bending engineering in ...
  • Dey D., De D., (۲۰۱۸), First principle study of structural ...