حل لوی برای کمانش ورق هدفمند با لایه های پیزوالکتریک در دوحالت مدار باز و مدار بسته
محل انتشار: بیستمین کنفرانس سالانه مهندسی مکانیک
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 984
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISME20_630
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1391
چکیده مقاله:
در این مقاله به تحلیل کمانش ورق چهار گوش ساخته شده از مواد هدفمند با دو لایه پیزوالکتریک در بالا و پایین آن پرداخته شده است. چهار معادله دیفرانسیل حاکم بر ورق برای تئوری کلاسیک بادر نظر گرفتن اثر پیزوالکتریسیته و از اصل مینیمم انرژی پتانسیل بدست آمده اند . تابع پتانسیل الکتریکی که ترکیب خطی و درجه دوم از ضخامت ورق فرض شده به گونه ایست که علاوه بر ارضایشرط مرزی مدار باز و بسته، معادله ماکسول را نیز ارضا می کند . حل تحلیلی در نظر گرفته شده بار کمانش بحرانی را برای تمام شرایط مرزی لوی اعم از متقارن و نامتقارن و شرط مرزی الکتریکی مدار باز و بسته، می دهد . از نتایج بدست آمده مشاهده شد که برای همه شرایط مرزی و شرایط بارگذاری با افزایش ضخامت لایه پیزوالکتریک، بار بحرانی کمانش برای مدار باز و بسته افزایش می یابد اما این افزایش برای حالت مدار باز بیشتر از حالت مدار بسته می باشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمدعلی قاسم آبادیان
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه شهید باهنر کرمان
علیرضا سعیدی
دانشیار ، بخش مهندسی مکانیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :