ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

مقاله پژوهشی: محاسبهساختار الکترونی و نوارهای انرژیInP در حالت نانو سیم وانبوهه به روش شبه پتانسیل

محل انتشار: فصلنامه علمی فیزیک کاربردی ایران، دوره: 12، شماره: 3
سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 129

فایل این مقاله در 15 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/1506054

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-12-3_005

تاریخ نمایه سازی: 5 شهریور 1401

چکیده مقاله:

در این مقاله ویژگی­ های الکترونی و ساختاری از جمله ثابت­های شبکه، ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت های  در حالت انبوهه و نانوسیم محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) و با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو با تقریب­های چگالی موضعی (LDA) و تقریب گرادیان تعمیم یافته (GGA) صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می­دهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک شکاف انرژی به اندازه ۴/۱ الکترون ولت در نقطه Γ در منطقه بریلوین می ­باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد. همچنین شکاف نواری در حالت نانوسیم­ ها حدود ۴۹/۱ الکترون ولت به دست آمد که نسبت به شکاف نواری در حالت انبوهه افزایش یافته است. در نهایت، پارامترهای محاسبه شده سازگاری خوبی با دیگر نتایج دارد.

کلیدواژه ها:

InP ، نظریه تابعی چگالی ، شبه پتانسیل ساختار نواری ، نانو سیم

نویسندگان

حمدا.. صالحی

دانشیار، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

حسین طولابی نژاد

دانش آموخته کارشناسی ارشد، گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید چمران اهواز، اهواز، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • De. A. and Pryor. C. E, Predicted band structures of ...
  • Souza. P. L, Ribas. T, Bellini. P. R, and Mendes ...
  • http://www. ioffe.ru/SVA /NSM/ Semicond/ InP.html, ۱۹۹۶ ...
  • Werking. J. D, Bolognesi. C. R, Chang. L. D, Nguyen. ...
  • Soderstrom. J. R, Chow. D.H, and McGill. T.C., New negative ...
  • Rino. J. P, and Branicio. P. Phys Status Solidi (b) ...
  • Yamamoto. A, Yamaguchi. M, and Uemora. C, High conversion efficiency ...
  • http://www.xcrysden.org, ۲۰۰۳ ...
  • http://www.quantum-espresso.org, ۲۰۲۱ ...
  • Monkhorst, H. J., & Pack, J. D., Special points for ...
  • Murnaghan, F. D., The compressibility of media under extreme pressures. ...
  • Madelung, O., Landolt-Bornstein: Numerical data and functional relationships in science ...
  • Huang. M. Z, and Ching. W. Y., Calculation of optical ...
  • Satyam. S, Parashari. S, Kumar. S and Auluck. S, Pressure ...
  • Gorczyca. I, Christensen. N. E, and Alouani. M. Indium phosphide ...
  • Wei, S. H., & Zunger, A., Predicted band-gap pressure coefficients ...
  • Birch, F., Finite elastic strain of cubic crystals. Physical Review, ...
  • Prassides, K., Iwasa, Y., Ito, T., Chi, D. H., Uehara, ...
  • Salehi, H., Sr-Doping Effect on the Electronic Structure of BaTiO۳ ...
  • Lide, D. R., & Frederiske, H. R., Handbook of Chemistry ...
  • Sahr. U, Grant. I, and Muller. G, Conf. proc., ۱۳thInt.Conf. ...
  • Adachi, S., Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GaInAsSb, ...
  • Trägårdh, J., Persson, A. I., Wagner, J. B., Hessman, D., ...
    • نمایش کامل مراجع