ساختار جدید ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی بدون آلایش با دو فلز با تابع کار دوگانه در نواحی درین- سورس

سال انتشار: 1401
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 248

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF و WORD قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NEEC06_053

تاریخ نمایه سازی: 30 تیر 1401

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ساختار جدید با استفاده از اتصالات دوتایی در نواحی درین و سورس برای بهبود مشخصه های الکترونیکی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی بدون آلایش پیشنهاد شده است. ساختار پیشنهادی با تقسیم بندی نواحی درین و سورس به دو ناحیه با طول های یکسان و انتخاب توابع کار متفاوت برای هر ناحیه، ارائه شده است. نتایج بررسی های صورت گرفته نشان می دهد که نوسان زیر آستانه بهبود یافته است، همچنین تونل زنی نوار به نوار و جریان نشتی کاهش قابل توجهی دارد که باعث افزایش نسبت جریان می شود. برای شبیه سازی افزاره پیشنهادی از حل خودسازگار معادله پواسون – شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، تونل زنی نوار به نوار ، تابع گرین غیر تعادلی ، جریان نشتی ، نوسان زیر آستانه.

نویسندگان

مریم قدرتی

دانشکده فنی و مهندسی- گروه الکترونیک- دانشگاه لرستان

علی میر

دانشکده فنی و مهندسی- گروه الکترونیک- دانشگاه لرستان