بنت الهدی امانت - گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران

برخی از خواص و رفتاهای نانوسیم های نیمه هادی باعث می شود خواص جذب وانتشارسلول های خورشیدی بر پایه نانوسیم ها در مقایسه با سلول هایخورشیدی بر پایه مواد مسطح تغییر کند و عملکرد بهتری را نسبت بهسلول های خورشیدی بر پایه مواد مسطح از خود نشان دهند. نشان داده می شودکه ابعاد طولی و ابعاد جانبی نانوسیم ها ضخامت نوری و الکتریکی یک سلولخورشیدی نانوسیمی را تعیین می کنند. نانوسیم های نیمه رسانای ترکیبی III-Vمانند GaAs و InP به دلیل فاصله های باند مستقیم آنها، به ویژه برایفتوولتائیک ها برای به حداکثر رساندن راندمان تبدیل توان تحت طیف بسیارمورد توجه قرار گرفتند. نانوسیم ها در مقایسه با مواد مسطح حجم معادل،نور را موثرتر جذب می کنند که منجر به چگالی جریان اتصال کوتاه بالاترمی شود . لذا با توجه به این مسائل ما در این مقاله فیزیک سلول هایخورشیدی بر پایه نانوسیم. و عو امل موثر بر افزایش چگالی جریان اتصالکوتاه و ولتاژ مدار باز آنها با تاکید بر مواد GaAs و InP را نسبت بهسلول های خورشیدی مسطح را بررسی می کنیم.

نانوسیم، سلول خورشیدی، ولتاژمدار باز، چگالی جریان اتصال کوتاه