مطالعه ی ابتدابه ساکن طیف اتلاف انرژی الکترونی تک لایه ی Sc۲C(OH)۲ در حضور ناخالصی سیلیکون

  • سال انتشار: 1400
  • محل انتشار: کنفرانس ملی پیشرفت های فناورانه در فیزیک کاربردی
  • کد COI اختصاصی: TAAPY01_048
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 290
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

یاسمن نادری

دانشکده ی علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، لرستان، ایران

ریحان نجاتی پور

دانشکده ی علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، لرستان، ایران

مهرداد دادستانی

دانشکده ی علوم، دانشگاه لرستان، خرم آباد، لرستان، ایران

چکیده

مطالعه حاضر در چارچوب نظریه تابعی چگالی به بررسی طیف اتلاف انرژی الکترونی لبه K کربن در ساختار Sc۲C(OH)۲ در حضور ناخالصی سیلیکون میپردازد. این ترکیب در حضور ناخالصی سیلیکون، از یک نیم رسانا با گاف نواری ۰/۵۷ eV به یک عایق توپولوژیک با گاف نواری صفر و وارونی نواری تغییر ساختار و خواص میدهد. منشا ساختارهای طیف اتلاف مغزه در ترکیب با و بدون ناخالصی سیلیکون حالتهایπ و σاست. تحلیل چگالی حالتها این نتیجه را تایید میکند.

کلیدواژه ها

ناخالصی سیلیکون، اتلاف انرژی نزدیک ساختار لبه (ELNES)، چگالی حالات (DOS)، نظریه ی تابعی چگالی .(DFT)

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.