شبیه سازی عددی و تحلیل جذب در سلولهای خورشیدی لایه نازک سیلیکون کریستالی و آمورف
محل انتشار: کنفرانس ملی پیشرفت های فناورانه در فیزیک کاربردی
سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 234
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TAAPY01_036
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1401
چکیده مقاله:
سیلیکون کریستالی و سیلیکون آمورف به دلیل ویژگیهای منحصربه فردشان به موادی پرکاربرد در ساخت سلولهای خورشیدی نسل دوم (لایه نازک) تبدیل شده اند. لذا، در این مقاله، عملکرد جذبی این مواد و سلولهای خورشیدی مبتنی بر آنها در ناحیه طیف نور مرئی توسط روشهای عددی المان محدود (FEM) و تفاضل محدود حوزه زمان (FDTD) شبیه سازی و تحلیل شده است. در سلولهای خورشیدی تحلیل شده، از یک لایه ایندیوم قلع اکسید (ITO) به عنوان لایه اکسید هادی شفاف (TCO) بر روی لایه جاذب سیلیکونی و از یک لایه نقره به عنوان بازتابنده نور استفاده شده است. میزان جذب لایه های جاذب در این سلولهای خورشیدی با استفاده از فرمولاسیون تمام-موج جذب نور محاسبه شده و با جذب کلی سلولها مقایسه شده اند. همچنین، نشان داده شده است که در تمامی شبیه سازی های ارائه شده مبتنی بر دو روش عددی مذکور، توافق بسیار خوبی وجود دارد که این به معنی دقت و صحت نتایج شبیه سازیها است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
نیلوفر انورحقیقی
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران
امیر حبیب زاده شریف
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران
صفا سمیع نژاد
دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران