Computational study of bandgap-engineered Graphene nano ribbon tunneling field-effect transistor (BE-GNR-TFET)
- سال انتشار: 1399
- محل انتشار: مجله بین المللی ابعاد نانو، دوره: 11، شماره: 4
- کد COI اختصاصی: JR_IJND-11-4_008
- زبان مقاله: انگلیسی
- تعداد مشاهده: 220
نویسندگان
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
Department of Electrical Engineering, Nour Branch, Islamic Azad University, Nour, Iran.
چکیده
By applying tensile local uniaxial strain on ۵ nm of drain region and compressive local uniaxial strain on ۲.۵ nm of source and ۲.۵ nm of channel regions of graphene nanoribbon tunneling field-effect transistor (GNR-TFET), we propose a new bandgap-engineered (BE) GNR-TFET. Simulation of the suggested device is done based on non-equilibrium Green’s function (NEGF) method by a mode-space approach. Simulation results show that, compared to the conventional GNR-TFET, the BE-GNR-TFET enjoys from a better am-bipolar behavior and a higher on-current. Besides, the analog characteristic of the proposed structure such as transconductance (gm) and unity-gain frequency (ft) is also improved.کلیدواژه ها
Density of States (DOS), Graphene Nanoribbon (GNR), Non Equilibrium Green’s Function (NEGF), Tunneling Field Effect, Unity Gain Frequency (ft)اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.