مروری بر تکنولوژی ساخت و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت چرخشی PS-MOSFET

در سال های اخیر ترانزیستورهای چرخشی توجه زیادی را بعنوان یک بلوک ساختمانی پرکارکربرد مدارات مجتمع آینده به خود جلب کرده اند. در این مقاله سعی بر این است که مراحل ساخت یک ماسفت چرخشی-کارکردی با نام ماسفت شبه چرخشی (PS-MOSFET) بررسی و توصیف شود. ماسفت چرخشی یک مداری است که از یک ماسفت معمولی و اتصال تونل مغناطیسی (MTJ) برای باز تولید توابع ترانزیستورهای چرخشی استفاده می کند. تکنیک های یکپارچه سازی قطعه برای یک ماسفت دروازه زیرین از یک حامل سیلیکون- بر- عایق (SOI) استفاده کرده و برای یک MTJ با یک الکترود آلیاژ و بازدارنده تونل MgO توسعه داده شده است. PS-MOSFET ساخته شده، رسانایی متقابل کم و جریان زیاد کنترل شده را توسط پیکربندی های مغناطیسی MTJ در دمای اتاق از خود نشان می دهد. اما در سالهای اخیر با روش مجتمع سازی توسعه یافته با استفاده از یک تراشه CMOS MPW توانسته اند MTJهای ساخته شده بر روی تراشه را با نسبت مقاومت مغناطیسی (TMR) بزرگ (> ۱۴۰٪) و سازگار با کاربرد ماسفت چرخشی تولید کنند. توسعه این تکنولوژی می تواند درها را برای کاوش مدارهای ترکیبی کاربردی جدید مبتنی بر CMOS باز کند. چند مقاله ی مهم از بدو پیدایش این نوع ترانزیستورها تا حالا مطالعه و در نهایت مقایسه آنها از لحاظ نسبت مقاومت مغناطیسی و کنترل و افزایش جریان خروجی و حداکثر نسبت جریان مغناطیسی بصورت نموداری بررسی می شوند

کلیدواژه ها:

ماسفت چرخشی ، اتصال تونل مغناطیسی ، نسبت مقاومت مغناطیسی ، نسبت جریان مغناطیسی