بررسی تغییرات مشخصه های الکتریکی ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی، قبل و پس از پرتودهی گاما
- سال انتشار: 1397
- محل انتشار: فصلنامه سنجش و ایمنی پرتو، دوره: 6، شماره: 5
- کد COI اختصاصی: JR_RSM-6-5_005
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 385
نویسندگان
University of Neyshabur
University of Neyshabur
University of Neyshabur
چکیده
ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJTs) قطعات نیمه هادی فعالی هستند که معمولا به عنوان تقویت کننده و سوئیچینگ استفاده می شوند. در این تحقیق، ترانزیستورها برای کار در ناحیه ی فعال بایاس شده اند و با اندازه گیری مشخصه های الکتریکی قطعات، قبل و بعد از فرایند پرتودهی توسط چشمه ی ۶۰Co، اثر تابش گاما بر روی هر یک از این مشخصه ها بررسی گردیده است. به منظور اندازه گیری هر مشخصه، ابتدا مدار مناسب برای هر ترانزیستور طراحی گردیده، سپس اندازه گیری های لازم انجام شده است. نتایج تجربی نشان می دهند که با افزایش دز دریافتی توسط هر ترانزیستور، جریان کلکتور کاهش و ولتاژ کلکتور-امیتر افزایش می یابد. به طوری که بیشترین تغییر در مقدار مشخصه های ترانزیستورهای BD۹۱۱ و ۲N۳۴۲۰، پس از دریافت دز kGy ۲۰ مشاهده می شود. از طرفی دزهای تابشی کمتر از kGy ۱ تاثیر اندکی بر روی مشخصه های الکتریکی ترانزیستورهای BJT دارند. بنابراین می توان گفت که این ترانزیستورها دارای مقاومت ساختاری بیشتری در مقابل پرتو بوده و می توان از آن ها در طراحی مدارهای الکترونیکی و دستگاه هایی که در محیط های تابشی به کار می روند، استفاده نمود.کلیدواژه ها
BJT Transistor, Gamma irradiation, Electrical characteristics., ترانزیستور BJT, تابش گاما, مشخصه های الکتریکی.اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.