بررسی راهکارهای موثر در کاهش اثرات بدنه شناور ترانزیستورهای ماسفت مبتنی بر فن آوری سیلیکان روی عایق

با کاهش ابعاد ترانزسیستورها و مجتمع سازی آنها می توان به سرعت کلیدزنی بالا دست پیدا کرد. با این وجود اثرات نامطل وبی بعد از کوچک سازی اتفاق می افتد که قابلیت اطمینان این افزاره ها را پایین می آورد. اثرات کانال کوتاه شامل آثار حامل داغ، کاهش سد پتانسیل به وسیله درین و افت ولتاژ آستانه و اثر بدنه شناور معرفی می شود. با این وجود در ترانزیستورهای تخلیه جزئی اثر بدنه شناور بسیار بحرانی بوده و بر روی عملکرد الکتریکی ترانزیستور اثر منفی میگذارد. این مقاله دو راهکار موثر برای کاهش اثر بدنه شناور پیشنهاد داده و مزیت و عیب هر یک از انها را بیان می کند. نتایج شبیه سازی نشان داده اند که ساختارهای پیشنهادی با کاهش قابل ملاحظه اثر بدنه شناور منجر به بهبود بسیاری از پارامترهای دیگر شده اند.

کلیدواژه ها:

اثرات کانال کوتاه ، اثر بدنه شناور ، عملکرد الکتریکی