اثر میدان مغناطیسی بر جوانه زنی دانه های رعنای زیبا (Gaillardia X grandiflora) در شرایط درون شیشه ای

در این مقاله اثر میدان مغناطیسی بر جوانه زنی دانه رعنای زیبا مورد بررسی قرار گرفته است . این مطالعه در شرایط درون شیشه ای و بدون دسترسی به نور روز و با استفاده از نور فلورسنت به عنوان روشنایی مورد نیاز انجام گرفته است . بیشترین جوانه زنی دانه وقتی اتفاق افتاد که جوانه طی بازه زمانی ۲۴ ساعت در معرض شدت میدان ۶۲۸ میلی تسلا قرار می گیرد. در این شرایط درصد جوانه زنی برابر ۵۶ درصد است در حالی که این نسبت برای نمونه شاهد ۱۰ درصد می باشد. بیشترین رشد برای ریشه و ساقه در ۳۱۴ میلی تسلاو برای ۲۴ ساعت رخ داد که به مقدار قابل توجهی بیشتر از نمونه شاهد به همراه هر گونه مداوا طی ۶ ساعت قرار گرفتن در معرض میدان مغناطیسی است ، اما در مقایسه با شرایط قرار گرفتن ۲۴ ساعته در معرض میدان ۶۲۸ میلی تسلایی تغییر چندانی ندارد.

کلیدواژه ها:

جوانه زنی ، میدان مغناطیسی ، شرایط درون شیشه ای.