بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون در محلول TMAH
- سال انتشار: 1394
- محل انتشار: فرآیندهای نوین در مهندسی مواد، دوره: 9، شماره: 3
- کد COI اختصاصی: JR_MAIA-9-3_011
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 309
نویسندگان
مدیر پژوهش دانشکده برق دانشگاه هوائی شهید ستاری
عضو هیات علمی دانشگاه تهران
چکیده
این مقاله به بررسی و تحلیل رفتاری لایه برداری سطحی ناهمسانگرد سیلیکون (۱۰۰) در هیدروکسید آمونیم تترامتیل(TMAH) پرداخته است. فرآیند حکاکی در محلول TMAH با غلظتهای مختلف ۵%، ۱۰%، ۱۵% و ۲۵% و در دماهای مختلف oC ۷۰، oC ۸۰ و oC۹۰ انجام شد. نتایج نشان میدهد که نرخ زدایش با افزایش دما، افزایش مییابد ولی این نرخ با افزایش غلظت TMAH در غلظتهای بیشتر از ۱۰% کاهش مییابد. بیشترین نرخ زدایش برابر با µm/h۶۲ در غلظت۱۰% و دمای oC ۹۰ است. تصاویر SEM نشان میدهد که در سطح سیلیکون برآمدگیهای شبیه به تپههای هرمی شکل کوچک ظاهر میشود که تعداد، شکل و نحوه توزیع آنها در روی سطح سیلیکون کاملا تصادفی است. تعداد ناهمواری با افزایش غلظت TMAH کاهش مییابد و سطح سیلیکون حکاکی شده در TMAH با غلظتهای بالا، صافتر میباشد. درضمن بیشترین مقدار نرخ زدایش در صفحه < ۱۰۰> نسبت به صفحه < ۱۱۱> برای TMAH با غلظت۱۰% به دست آمده است که مقدار آن ۶/۱۰ است. زدایش سیلیکون با TMAH در این غلظت کمترین زیربریدگی را دارد.کلیدواژه ها
میکروماشین کاری, لایه برداری سطحی ناهمسان گرد سیلیکون, ناهمواری سطح سیلیکون, TMAHاطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.