میثم زرچی - سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران، پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، تهران، ایران
شاهرخ آهنگرانی - سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران، پژوهشکده مواد پیشرفته و انرژی های نو، تهران، ایران

فیلم هایی از سیلیکون آمورف به روش لایه­نشانی فیزیکی فاز بخار به کمک پرتو الکترونی (EB-PVD) ایجاد شد. فرآیند لایه­نشانی در شرایط خلا بالا (torr ۶-۱۰) که منجر به تشکیل یک پوشش آمورف البته با ضخامت های کنترل شده انجام شد. پس از نمونه سازی، نمونه ها در دمای oC۸۰۰ و در محیط گاز خنثی تحت شرایط عملیات حرارتی قرار گرفت و ویژگی های ساختاری و الکتریکی آن قبل و بعد از عملیات حرارتی مورد تحلیل قرار گرفت. نتایج حاصل از میکرورامان نشان­دهنده ساختار آمورف در پوشش­های اولیه بود که با افزایش ضخامت پوشش و حضور نقایص بیشتر مقداری از نانوکریستال­ها تشکیل شد. علاوه بر آن با اعمال شرایط عملیات حرارتی تشکیل، رشد و ادغام نانوکریستال­ها و تشکیل یک ساختار پلی­کریستال را شاهد هستیم. نانوکریستال­ها منجر به تشکیل پیوندهای sp۲ و sp۳شده که همین خود باعث افزایش هدایت الکتریکی پوشش در این شرایط شد و این افزایش هدایت الکتریکی با افزایش ضخامت پوشش بر روی نمونه های موردبررسی به شدت افزایش یافت.

فیلم آمورف سیلیکون, نانوکریستال سیلیکون, زبری سطح, عملیات حرارتی, هدایت الکتریکی