Interacti on of CO with SiCnanocluster surface
محل انتشار: پانزدهمین سمینار شیمی فیزیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 101
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISPTC15_0439
تاریخ نمایه سازی: 11 دی 1400
چکیده مقاله:
Silicon carbide(S iC) is a co mpound of s ilicon and carbon with a chemical formula Si C.SiC nanom aterials may be promising semiconductors for preparation of nanoelectronic devices for high-temperature, high-power, and high-f requency a pplications[ ۱].When the concentration of Carbonmonoxide(CO) increa ses, it is dan gerous for human body .There areseveral theoretical studieson CO adsorption on various surfaces [۲-۳]. We performe d DFT calc ulations to study adsorp tion of CO on Si۱۶ C۱۶ and Si۲۴C۲۴fullerene-like nanoclusters and investigated corresponding different electronic properties.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Elham Zaro rati
Department of C hemistry, Shah idRajaee Teacher Training U niversity, P.O . Box ۱۶۸۷۵-۱ ۶۳, Tehran, Iran
Javad B eheshtian
Department of C hemistry, Shah idRajaee Teacher Training U niversity, P.O . Box ۱۶۸۷۵-۱ ۶۳, Tehran, Iran