Interacti on of CO with SiCnanocluster surface

سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 101

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISPTC15_0439

تاریخ نمایه سازی: 11 دی 1400

چکیده مقاله:

Silicon carbide(S iC) is a co mpound of s ilicon and carbon with a chemical formula Si C.SiC nanom aterials may be promising semiconductors for preparation of nanoelectronic devices for high-temperature, high-power, and high-f requency a pplications[ ۱].When the concentration of Carbonmonoxide(CO) increa ses, it is dan gerous for human body .There areseveral theoretical studieson CO adsorption on various surfaces [۲-۳]. We performe d DFT calc ulations to study adsorp tion of CO on Si۱۶ C۱۶ and Si۲۴C۲۴fullerene-like nanoclusters and investigated corresponding different electronic properties.

کلیدواژه ها:

Carbo n Silicon na nocluster ، D ensity functional theor y ، Adsorption ، CO

نویسندگان

Elham Zaro rati

Department of C hemistry, Shah idRajaee Teacher Training U niversity, P.O . Box ۱۶۸۷۵-۱ ۶۳, Tehran, Iran

Javad B eheshtian

Department of C hemistry, Shah idRajaee Teacher Training U niversity, P.O . Box ۱۶۸۷۵-۱ ۶۳, Tehran, Iran