مدل سازی جامع خازن فلز-اکسید-نیمرسانا مد تخلیهای برای شبیهسازی مداری

شهریار جاماسب; محمدباقر خدابخشی

مدل سازی جامع خازن فلز-اکسید-نیمرسانا مد تخلیهای برای شبیهسازی مداری

محل انتشار: فصلنامه مدل سازی در مهندسی، دوره: 18، شماره: 62

سال انتشار: 1399

نوع سند: مقاله ژورنالی

زبان: فارسی

مشاهده: 191

فایل این مقاله در 14 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

دریافت فایل کامل مقاله

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/1280767

شناسه ملی سند علمی:

JR_JME-18-62_004

تاریخ نمایه سازی: 11 مهر 1400

چکیده مقاله:

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی ۹۹/۰ مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گسترده یک مدل زیر مداری واقع گرایانه برای خازن MOS به دست می آید که امکان مدل سازی دقیق آثار پرفرکانس و ضریب کیفیت خازن را فراهم می کند. کارآیی مدل زیر مداری خازن MOS با استفاده از شبیه سازی اسپایس تایید شد و برای بهبود دقت شبیه سازی روشی برای مدل سازی مقاومت کانال به صورت یک مقاومت کنترل شونده با ولتاژ ارائه شد.

کلیدواژه ها:

خازنMOS ، MOSFET مد تخلیه ای ، مدل BSIM ، مدل ضخامت بار

نویسندگان

شهریار جاماسب

استادیار، گروه مهندسی پزشکی، دانشگاه صنعتی همدان

محمدباقر خدابخشی

استادیار گروه مهندسی پزشکی- دانشگاه صنعتی همدان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

محمد آسیایی، «طراحی رجیستر فایل توان پایین در فناوری ۹۰ ...
محمود فلاح و محمدهاشم واجد سمیعی، «طراحی FSS میان گذر ...
]۳[ آتیلا اسکندنژاد، عبدالرضا رحمتی و ادیب ابریشمی فر، «مدل ...
T.H. Lee, The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits, Cambridge ...
R. Sarpeshkar, Ultra Low Power Bioelectronics, Cambridge University Press, New ...
T. Ando, U. Kwon, S. Krishnan, M.M. Frank and V.Narayanan, ...
N. Novkovski and E. Atanassova, "Frequency Dependence of ?-? Characteristics ...
H. Zhang, L. Yuan, X. Tang, J. Hu, J. Sun, ...
Y. Xu, X. Hu, Y. Dong, B. Zhang and Y. ...
J.H. Tsai, S.A. Ko, C.W. Wang, Y.C. Yen, H.H. Wang, ...
L. Zhu and S. McNamara, "Low Power Tunneling Current Strain ...
C. Li, J.C. Li, J. Shang, W.X. Li and S.Q. ...
A. Kahraman, E. Yilmaz, A. Aktag and S. Kaya, "Evaluation ...
Y. Xuan, Ch. Mousoulis, A. Kumar, Ch.I. Elmiger, S. Scott, ...
T. Rabuske and J. Fernandes, "A SAR ADC With a ...
R.K. Palani and R. Harjani, "A ۴.۶mW, ۲۲dBm IIP۳ all ...
H. Amini Moghadam, S. Dimitrijev, J. Han, D. Haasmann and ...
X. Zhang, C. Cheng, H. Zhu, T. Yu, D. Zhang ...
H.H. Lin and J.G. Hwu, "Surface Nonuniformity-Induced Frequency Dispersion in ...
X. Zhang, S. Zhang, H. Zhu, X. Pan, Ch. Cheng, ...
P. Pande, S Dimitrijev, D. Haasmann, H. Amini Moghadam, P. ...
R. Moosavi, S. Jamasb, "Accurate Modeling of the Polysilicon-Insulator-Well (PIW) ...
R. Rios, N.D. Arora, C.L. Huang, N. Khalil, J. Faricelli ...
W. Liu and C. Hu, "BSIM۳v۳ mosfet model", International Journal ...
W. Liu, X. Jin, Y. King and C. Hu ,"An ...
D.E. Ward, R. W. Dutton, “A Charge-oriented Model for MOS ...
H.J.M. Veendrick, in Nanometer CMOS ICs from basics to ASICS, ...
T. Uchino, T. Shiba, K. Ohnishi, A. Miyauchi, M. Nakata, ...
Y.S. Chauhan, D.D. Duane, L.V. Sriramkumar, S. Khandelwal, J.P. Duarte, ...
X. Duan, P. Lu, W. Li and J.C.S. Woo, "Parasitic ...

نمایش کامل مراجع