طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی GaAs به روش MBE
- سال انتشار: 1380
- محل انتشار: چهارمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
- کد COI اختصاصی: ISCEE04_059
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 1564
نویسندگان
دانشگاه علم وصنعت ایران
چکیده
هدف از این گزارش طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گالیم آرسناید به روش رشد رونشستی پرتو مولکولی MBE می باشد لایه گالیم آرسناید رشد داده شده به فرم چهارپر Clover leaf شکل داده شده و برای ساخت حسگر مورد استفاده قرارگرفته برای ایجاد کنتاکتهای الکتریکی برروی لایه از قلع استفاده شده است در نهایت با اندازه گیری های انجام شده حساسیت جریانی S1 اینحسگر 7.3A/VT و غلظت الکترونهای لایه رشد داده شده 5.67×10 17cm-3 و قابلیت تحرک الکترونها موبیلیته 3274cm2/V.S بدست آورده شده است.کلیدواژه ها
گالیم آرسناید، رونشستی پرتومولکولی، حسگر مغناطیسیمقالات مرتبط جدید
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.