حجت اله حمیدی - پژوهشکده الکترونیک دانشگاه علم و صنعت

دراین مقاله طراحی و مراحل رشد یک دیود Pn از جنس GaAs را تشریح کردها یم این دیود از طریق رشد یکلایه با ضخامت 1 میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون 6×19 17cm-3برروی زیرلایه ای از جنسGaAs نوع P با چگالی حاملها 17 10CM-3 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شد و فشار مبنای محفظه رشد کمتر از 10 -10Torr و فشارکاری که غالب آن از ارسنیک است بین 110-7-10-5 بوده و مشخصه نگاری درهنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است.

پیوند Hall,ECV,MBE,RHEED-Pn