طراحی، شبیه سازی و ساخت تقویت کننده توان هایبرید ۳ وات در باندفرکانسی ۹-۱۵ گیگاهرتز

سال انتشار: 1400
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 225

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCEEM10_047

تاریخ نمایه سازی: 8 مهر 1400

چکیده مقاله:

در این مقاله، مراحل مختلف طراحی، شبیه سازی و ساخت تقویت کننده ی هایبرید ۳ وات در باند فرکانسی ۹-۱۵ گیگاهرتز به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است. این تقویت کننده، که در کلاس AB کار می کنند با استفاده از ترانزیستور پکیج شده GaAs ساخته شده است و دارای توان اشباع خروجی ۳ وات، بهره سیگنال کوچک dB ۳۰ و راندمان توان ۳۵٪ است. در این مقاله، اثرات حرارتی بر روی عملکرد تقویت کننده بررسی شده و با بهینه سازی انتقال حرارت در تقویت کننده، مشخصات آن را بهبود داده ایم.

کلیدواژه ها:

تقویت کننده توان هایبرید ، GaAs ، راندمان ، توان خروجی.

نویسندگان

مهدی فروزانفر

استادیار دانشگاه بیرجند