مدلسازی مشخصهی جریان-ولتاژ در ترانزیستورهای SOI-MOSFET توسط شبکه های عصبی
محل انتشار: دهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,037
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE10_028
تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390
چکیده مقاله:
دراین مقاله روش مدلسازی مشخصه ی I-V برای SOI-MOSFET ها توسط شبکه عصبی ارائه می شود.این مدلسازی سریع و دقیق است و برای نرم افزارهای شبیه سازی مدارها مناسب می باشد. در این روش، دو معماری از شبکه عصبی بکار گرفته شده و با هم مقایسه خواهند شد که عبارتند از MLP): یا پرسپترون چند لایه و GRBF) یا تابع شعاع مدار تعمیم یافته. برای افزایش کارایی آموزش به شبک هی عصبی از یک شیوه ی پیمانه ای استفاده شده است. مشخصه ی جریان درین حاصل از مدل شبکه ی عصبی با نتایج تجربی مقایسه شدهاست؛ که تطبیق بسیار خوبی را نشان می دهد و خطای نسبی آن برای طیف وسیعی ازطول کانال ها، ولتاژ های درین و گیت کمتر از1/1 %است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد اسکندری مکوند
آزمایشگاه طراحی مدارهای مجتمع بسیار فشرده، دانشکده مهندسی برق و کام
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :