مدلسازی مشخصهی جریان-ولتاژ در ترانزیستورهای SOI-MOSFET توسط شبکه های عصبی

سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,037

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE10_028

تاریخ نمایه سازی: 7 آذر 1390

چکیده مقاله:

دراین مقاله روش مدلسازی مشخصه ی I-V برای SOI-MOSFET ها توسط شبکه عصبی ارائه می شود.این مدلسازی سریع و دقیق است و برای نرم افزارهای شبیه سازی مدارها مناسب می باشد. در این روش، دو معماری از شبکه عصبی بکار گرفته شده و با هم مقایسه خواهند شد که عبارتند از MLP): یا پرسپترون چند لایه و GRBF) یا تابع شعاع مدار تعمیم یافته. برای افزایش کارایی آموزش به شبک هی عصبی از یک شیوه ی پیمانه ای استفاده شده است. مشخصه ی جریان درین حاصل از مدل شبکه ی عصبی با نتایج تجربی مقایسه شدهاست؛ که تطبیق بسیار خوبی را نشان می دهد و خطای نسبی آن برای طیف وسیعی ازطول کانال ها، ولتاژ های درین و گیت کمتر از1/1 %است.

کلیدواژه ها:

پرسپترون ، تابع شعاع مدار ، آموزش به شبکه ، وزن سیناپسی ، شیوه ی پیمانه ای و SOI-MOSFET

نویسندگان

محمد اسکندری مکوند

آزمایشگاه طراحی مدارهای مجتمع بسیار فشرده، دانشکده مهندسی برق و کام

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • S. Hatami, M.Y. Azizi, H.R. Bahrami, D. Motavalizaden _ _ ...
  • Caulfield , H.J., J.and Rogers , S. _ Optical neural ...
  • Leonard, J.A. and Kramer , M.A;Radial basis function networks for ...
  • _ Perceptron _ information storage and organization in the brain, ...
  • نمایش کامل مراجع