شبیه سازی عددی سلول خورشیدی تک پیوندی GaAs به کمک دسته معادلات نفوذ-رانش

  • سال انتشار: 1390
  • محل انتشار: همایش ملی اصلاح الگوی تولید و مصرف
  • کد COI اختصاصی: OTMKERMAN01_040
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 1385
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

عبدالنبی کوثریان

ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی، گروه برق و الکترون

سیدمهرداد کن کنان

چکیده

نظر به نقشسلول های خورشیدی در تولید و دستیابی به انرژی الکتریکی پاکو ارزان و بازده بالای سلول های خورشیدی GaAs در غیاث با سایر انواع سلول ها، در این مقاله سعی داریم تا به کمکدسته معادلات نفوذ- رانش یکسلول خورشیدی تکپیوندی GaAs را شبیه سازی کنیم. آثار مربوط به انعکاس سطحی و بازتاب لایه فلزی زیرین سلول طبق مدل های موجود، در شبیه سازی اعمال شده و سلول خورشیدی مورد نظر در دو حالت تاریک و در معرض تابش نور آفتاب شبیه سازی شده است. منحنی ولتاژ- جریان سلول در بخش نهایی ترسیم و ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه به دست آمده از شبیه سازی عددی با نتایج تحلیلی مقایسه شده است که صحت و دقت شبیه سازی را نشان می دهد

کلیدواژه ها

روشجای گذاری LU سلول خورشیدی GaAs ،معادله پواسون، معادلاتنفوذ- رانش

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.