بررسی سیلیکون کششی و کاربردهای آن

سیلیکون تحت فشار یک لایه سیلیکونی است که در آن اتم های سیلیکون فراتر از فاصله بین محدوده عادی هستند. این را می توان با قرار دادن لایه سیلیکون بر روی یک بستر سیلیکون ژرمانیوم (SiGe) انجام داد. باقرارگرفتن اتم ها در لایه سیلیکون با اتمهای زیرین لایه سیلیکون ژرمانیوم (که کمی دورتر از یکدیگر قرار دارند، نسبت به آنهایی که از یک بلوری سیلیکون بزرگ تشکیل شده اند)، ارتباط بین اتم های سیلیکونی کشش یافته و در نتیجه منجر به تنش سیلیکون و انتقال این اتم های سیلیکونی به دورتر از هم میشوددرنتیجه نیروهای اتمی را که حرکت الکترون ها از طریق ترانزیستور ها تداخل می کند، کاهش می دهد و به همین ترتیب باعث تحرک بهتر می شود، که باعث عملکرد بهتر تراشه و کاهش مصرف انرژی می شود. پس الکترون ها می توانند ۷۰٪ سریعتر حرکت کنند.به همین دلیل دراین مقاله به بررسی آن وکاربردهایش پرداخته ایم

کلیدواژه ها:

سیلیکون ، الکترون ، ژرمانیوم ، اتم