آثار کانال کوتاه ماسفت در مقیاس نانو

  • سال انتشار: 1400
  • محل انتشار: دوازدهمین کنفرانس بین المللی فناوری اطلاعات، کامپیوتر و مخابرات
  • کد COI اختصاصی: ITCT12_081
  • زبان مقاله: فارسی
  • تعداد مشاهده: 697
دانلود فایل این مقاله

نویسندگان

محمدرضا میرزایی

دانشجوی کارشناسی الکترونیک،دانشکده فنی و حرفه ای پسران رشت (شهید چمران)

مصطفی خشنود

دکترای برق الکترونیک ، مدرس دانشگاه شهید چمران رشت

چکیده

در دهه های اخیر به علت پیشرفت زیاد در الکترونیک طول کانال MOSFET ها به مقیاس دکا نانو و سرعت دو قطبی ها نیز بههزاران گیگاهرتز رسیده است.از زمانی که اولین ترانزیستور های اثر میدان فلز _ اکسید _نیم رسانا در سال ۱۹۶۰ با موفقیت ارائهشدند، به منظور تامین تقاضای روز افزون برای سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر و ارزانتر تا کنون تلاش های زیادی انجام شدهاست،کوچک سازی ترانزیستور ها بدون تغییر ساختاری با محدودیت و مشکلاتی همراه بوده است،از جمله از این موارد اثراتکانال کوتاه می توان اشاره نمود.در این مقاله به بررسی برخی آثار کانال کوتاه در ترانزیستور پرداخته شده است.

کلیدواژه ها

؛MOSFET، اثر میدان، دکا نانو، آثار کانال کوتاه

مقالات مرتبط جدید

اطلاعات بیشتر در مورد COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.