شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
- سال انتشار: 1399
- محل انتشار: فصلنامه مهندسی مخابرات جنوب، دوره: 10، شماره: 38
- کد COI اختصاصی: JR_JCEJ-10-38_004
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 214
نویسندگان
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهر
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
هیت علمی دانشگاه ازاد واحد بوشهر
چکیده
در این مقاله، به ارائه یک ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (۱V) کار می کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،۳۲ نانو متر طراحی می شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب کننده ارائه شده در شبیه ساز HSPICE شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس ۲ گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم ۳.۷۴۶۴µw و همچنین دارای THD ۰.۲۲۶۰۴۳% می باشد.کلیدواژه ها
ترانزیستور نانو لوله کربنی, ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی, مد جریان, مدار مجذور کننده جریاناطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.