مهندسی گاف انرژی لایه جاذب در سلول خورشیدی مسطح مبتنی بر پروسکایت سه کاتیونه

تاثیر ترکیب کردن دو کاتیون آلی فرمامیدینیوم FA و متیل آمونیوم MA در لایه جذب کننده پروسکایت از سلول خورشیدی توسط شبیه سازی با نرم افزار SCAPS بررسی شده است که بر میزان این دو کاتیون در ساختار سلول با تغییر نسبت(FA+MA) FA اثر می گذارد. در این مقاله معادله گاف انرژی با استفاده از اطلاعات تجربی بدست آمده است. گاف انرژی از ev ۲.۱۷۵ تا ev ۱.۵ برای درجه بندی متفاوت از طریق تغییر نسبت ترکیبی FA(FA+MA) به ترتیب از ۰ به ۱ تغییر یافته است. مقادیر گاف انرژی در جلو و عقب به ترتیب مقادیر گاف انرژی جذب کننده پروسکایت در سمت نور و سمت عقب هستند. بالاترین میزان راندمان تبدیل انرژی سلول خورشیدی پروسکایتی زمانی نشان داده می شود که در درجه بندی گاف انرژی، متشکل از گاف انرژی در جلو ev FA/(FA+MA) = ۰) ۲,۱۷۵ و گاف انرژی در پشت (FA/(FA+MA) = ۱ ) ۱,۵ ev است.

کلیدواژه ها:

سلول خورشیدی ، پروسکایت ، شبیه سازی سلول ، SCAPS ، درجه بندی گاف انرژی