طراحی یک اسیلاتور موج میلیمتری کم نویز CMOS با استفاده از ترانسفورماتور و خطی سازی مدار
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 1، شماره: 4
سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 146
فایل این مقاله در 16 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-1-4_002
تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله بر حسب سایز ترانزیستورها و بهره فیدبک اسیلاتور، نقط ه هایی را پیدا می کنیم که بهره هسته فعال اسیلاتور در آنها بیشینه باشد. برای پیاده سازی بهره هسته فعال از کی ترانسفورماتور استفاده کردهایم. این ترانسفورماتور را به شکلی در مدار قرار م یدهیم که همزمان هم بهره لازم برای فیدبک نوسان ساز تامین گردد و هم قسمتی از خازنهای پارازیتی حذف شوند. به این نحو در اسیلاتور کارکرد، رنج تنظیم و نویز فاز به ترتیب ۷۰ %و ۵dB بهبود پیدا خواهد کرد. ومشخص خواهد شد که در حالت عمومی با خطی سازی اسیلاتور در موج میلیمتری می توانیم حتی کاهش بیشتری در نویز فاز داشته باشیم و براساس این موضوع اسیلاتور را تا جای ممکن خطی م یکنیم. شبیه سازی ها برای اسیلاتور طراحی شده درفناوری CMOS - ۰/۱۸ μm بعد از بدست آوردن پارامترهای پارازیتی Layout نشان می دهند که این اسیلاتور دارای نویزفاز -۸۹dB/Hz در آفست ۱MHz و پهنای باند قابل تنظیم ۱/۹GHz در اطراف فرکانس ۵۷ GHz و توان خروج ۵/ ۱۰ - dBm میباشد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
میلاد عطائی آشتیانی
دانشگاه صنعتی شریف
عبدالرضا نبوی
دانشگاه تربیت مدرس،استاد الکترونیک