تقویت کننده توان دوهرتی کلاس F با محدوده بازده-بالای افزایش یافته
محل انتشار: فصلنامه صنایع الکترونیک، دوره: 11، شماره: 1
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 321
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-11-1_002
تاریخ نمایه سازی: 8 خرداد 1400
چکیده مقاله:
در این مقاله روش جدیدی برای دست یابی به محدوده بازده-بالای وسیع در تقویت کننده دوهرتی ارائه شده است. این تقویت کننده دوهرتی تنها از یک تقویت کننده اصلی و یک تقویت کننده کمکی استفاده می کند. به منظور افزایش محدوده بازده-بالای این تقویت کننده، دو ترانزیستور ناهمسان با تطبیق هارمونیکی تقویت کننده کلاس F با ساختار بار ترکیبی مختلط به عنوان تقویت کننده های اصلی و کمکی به کار گرفته شده اند. برای تایید طرح ارائه شده، یک تقویت کننده توان دوهرتی با محدوده دینامیکی dB۱۲ برای کاربرد WCDMA طراحی و ساخته شده است. نتایج اندازه گیری سیگنال بزرگ، بهره توان در حدود dB۹/۱۰ با بازدهی درین در حدود ۶۶ % در محدوده بازده-بالای خروجی dB ۱۲ را نشان می دهد. ارزیابی سیگنال دوفرکانسه نشان می دهد که اعوجاج مدولاسیون داخلی مرتبه سوم کمتر از dBc ۵/۲۱- است. همچنین، اندازه گیری موج مدوله شده بازدهی متوسط درین ۵/۵۶ % را نشان می دهد و نرخ توان نشتی کانال مجاور در توان خروجی dBm ۵/۳۱ در حدود dBc ۲۶- است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
کیوان احمدی
۱دانشکده مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
مسعود دوستی
عضو هیات علمی گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم تحقیقات
شهروز اسدی
دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :