تحلیل و شبیه سازی اثر مواد دو بعدی مختلف (MoS۲ , WS۲ , WTe۲) روی مشخصات ترانزیستور اثر میدانی

در این مقاله ترانزیستور اثر میدانی بر پایه مواد دو بعدی دی کالکوژن را به صورت انتقال کوانتومی بررسی می کنیم. اینجا ترانزیستور اثر میدانی را با مواد دو بعدی دی کالکوژن (MX۲)MoS۲ و WTe۲ و WS۲ شبیه سازی می شود. مواد دو بعدی دی کالکوژن به دلیل اینکه باند گپ مناسب و کوچکی در دو حالت تک لایه و چند لایه دارند انتخاب شده اند. شبیه سازی با استفاده از روش تنگ بست (tight binding) و با استفاده از ماتریس همیلتونی و تابع گرین (NEGF) انجام شده است. همچنین اثر طول و عرض گیت با این سه ماده ی متفاوت بررسی می شود.

کلیدواژه ها:

مواد دوبعدی دی کالکوژن ، ترانزیستور اثر میدانی ، MoS۲ و WS۲ و WTe۲ ، روش تنگ بست (tight binding) ، تابع گرین (NEGF) ، ماتریس همیلتونی