ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

بررسی اپتیکی ویفر سیلیکون با حفرات نانومتری تهیه شده به روش سونش شیمیایی

سال انتشار: 1399
کد COI مقاله: SDNCONF04_024
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 43
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 10 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله بررسی اپتیکی ویفر سیلیکون با حفرات نانومتری تهیه شده به روش سونش شیمیایی

محبوبه هوشیار - دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران، ایران
پرنیان الستی - دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران، ایران

چکیده مقاله:

در این تحقیق، بر روی سیلیکون حفرات نانومتری با روش سونش شیمیایی به کمک فلزات ایجاد شد.برای تهیه سیلیکون نانوحفرهای از سیلیکون نوع P با ناخالصی بور، نیترات نقره به عنوان یون فلزی واسید هیدروفلوئوریک و آب اکسیژنه به عنوان الکترولیت استفاده شد. با کمک میکروسکوپ FE-SEMاندازه حفرات به دست آمده روی سطح سیلیکون در بازه ۱۸ الی ۶۷ نانومتر بدست آمد، ازاینرو سیلیکونبه دست آمده در گروه مواد مزوحفرات قرار میگیرد. سپس به کمک آنالیز EDX میزان خلوص سیلیکونتعیین شد. بعد از آن طیفسنجی رامان برای دو نمونه سیلیکون خالص و نانو حفره ای مورد بررسی قرارگرفت. نتایج این آزمایش، قله ایجاد شده در طیف رامان را برای هر دو نوع سیلیکون در طول موج ۵۱۹ (۱-)cm نشان میدهد، با این تفاوت که شدت در سیلیکون حاوی حفرات نانومتری بیش از سیلیکون خالصاست. پس از آن برای بررسی اپتیکی، طیفسنجی FT-IR برای دو سیلیکون خالص و حفره ای نانومتریای انجام شد و نتایج حاصل از آن به صورت مقایسه درصد جذب و عبور مورد بررسی قرار رفت. این نتایجتغییرات شدت یا جابهجایی عرضی چشمگیری را برای سیلیکون با حفرات نانومتری نسبت به سیلیکونخالص نشان نمی دهد.

کلیدواژه ها:

سیلیکون با حفرات نانومتری، سونش شیمایی به کمک فلزات، طیف سنجی رامان، طیف سنجی FT-IR

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1196868/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
هوشیار، محبوبه و الستی، پرنیان،1399،بررسی اپتیکی ویفر سیلیکون با حفرات نانومتری تهیه شده به روش سونش شیمیایی،چهارمین کنفرانس بین المللی علوم و توسعه فناوری نانو،،،https://civilica.com/doc/1196868

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، هوشیار، محبوبه؛ پرنیان الستی)
برای بار دوم به بعد: (1399، هوشیار؛ الستی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 19,235
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی