بررسی اپتیکی ویفر سیلیکون با حفرات نانومتری تهیه شده به روش سونش شیمیایی
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 390
فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SDNCONF04_024
تاریخ نمایه سازی: 15 اردیبهشت 1400
چکیده مقاله:
در این تحقیق، بر روی سیلیکون حفرات نانومتری با روش سونش شیمیایی به کمک فلزات ایجاد شد.برای تهیه سیلیکون نانوحفرهای از سیلیکون نوع P با ناخالصی بور، نیترات نقره به عنوان یون فلزی واسید هیدروفلوئوریک و آب اکسیژنه به عنوان الکترولیت استفاده شد. با کمک میکروسکوپ FE-SEMاندازه حفرات به دست آمده روی سطح سیلیکون در بازه ۱۸ الی ۶۷ نانومتر بدست آمد، ازاینرو سیلیکونبه دست آمده در گروه مواد مزوحفرات قرار میگیرد. سپس به کمک آنالیز EDX میزان خلوص سیلیکونتعیین شد. بعد از آن طیفسنجی رامان برای دو نمونه سیلیکون خالص و نانو حفره ای مورد بررسی قرارگرفت. نتایج این آزمایش، قله ایجاد شده در طیف رامان را برای هر دو نوع سیلیکون در طول موج ۵۱۹ (۱-)cm نشان میدهد، با این تفاوت که شدت در سیلیکون حاوی حفرات نانومتری بیش از سیلیکون خالصاست. پس از آن برای بررسی اپتیکی، طیفسنجی FT-IR برای دو سیلیکون خالص و حفره ای نانومتریای انجام شد و نتایج حاصل از آن به صورت مقایسه درصد جذب و عبور مورد بررسی قرار رفت. این نتایجتغییرات شدت یا جابهجایی عرضی چشمگیری را برای سیلیکون با حفرات نانومتری نسبت به سیلیکونخالص نشان نمی دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محبوبه هوشیار
دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران، ایران
پرنیان الستی
دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، اوین، تهران، ایران