شبیه سازی آشکارسازهای نانو سوسوزن با استفاده از روش المان محدود

در این مقاله با استفاده از روش المان محدود (FEM)، آشکارسازهای نانوسوسوزن در بستر اکسیدآلومینیوم آندایز شده (AAO) شبیه سازی شده است. ماده ای که به عنوان سوسوزن در نظر گرفته شده است،اکسید روی می باشد که درون هر یک از نانوسیم ها با این ماده پر شده است. یک لایه نازک طلا هم برای همپتانسیل کردن این نانوسیم ها به کار گرفته شده است. در این شبیه سازی از چشمه های سوزنی و صفحه ایپرتو ایکس با انرژی های ۱۰ ، ۱۵ و ۲۰ کیلو الکترون ولت استفاده شده است. نور سوسوزنی حاصل از برهم کنشپرتوهای ایکس با اکسید روی داخل نانوسیم ها، شبیه سازی شده سپس تعداد فوتون ها و شدت نور خروجی برحسب فاصله از مرکز آشکارساز محاسبه شده است. در آخر قدرت تفکیک مکانی و تعدد فوتون های خروجی ازساختار نانو و بالک محاسبه شده و مزایا و معایب استفاده از نانوسوسوزن و از روش المان محدود بیان شده است.

کلیدواژه ها:

آشکارساز نانو سوسوزن ، قدرت تفکیک مکانی ، روش المان محدود ، بازده نور خروجی