ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

Nanowires fine tunable fabrication by varying the concentration ratios, the etchant and the plating spices in metal-assisted chemical etching of silicon wafer.

سال انتشار: 1396
کد COI مقاله: JR_ACERPT-3-2_006
زبان مقاله: انگلیسیمشاهد این مقاله: 13
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 7 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله Nanowires fine tunable fabrication by varying the concentration ratios, the etchant and the plating spices in metal-assisted chemical etching of silicon wafer.

Mojhgan Shavandi - Semiconductors, Materials and Energy Research Center (MERC)
Abozar Massoudi - Semiconductors , Materials and Energy Research Center (MERC)
Ali Khanlarkhani - Nano-Technology and Advanced Materials, Materials and Energy Research Center
Morteza Moradi - Semiconductors, Materials and Energy Research Center (MERC)

چکیده مقاله:

The metal-assisted chemical etching (MACE) was used to synthesis silicon nanowires. The effect of etchant concentration, etching and chemical plating time and doping density on silicon nanowires length were investigated. It is held that the increasing of HF and H۲O۲ concentrations lead to etching rate increment and formation of wire-like structure. The results show that, the appropriate ratio of concentration to form the silicon nanowires obeyed the [HF]/[H۲O۲]  = R equation when R= ۲.۵, ۳ and ۳.۵ and any deviation of these ratio, cause to destruction of wire-like structure. Moreover, the critical etching rates to form the SiNWs are in the range of ۴nm/s to ۵nm/ s.

کلیدواژه ها:

metal, assisted chemical etching, Silicon nanowires, Etching rate, Concentration ratios

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1192133/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
Shavandi, Mojhgan and Massoudi, Abozar and Khanlarkhani, Ali and Moradi, Morteza,1396,Nanowires fine tunable fabrication by varying the concentration ratios, the etchant and the plating spices in metal-assisted chemical etching of silicon wafer.,,,,,https://civilica.com/doc/1192133

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1396, Shavandi, Mojhgan؛ Abozar Massoudi and Ali Khanlarkhani and Morteza Moradi)
برای بار دوم به بعد: (1396, Shavandi؛ Massoudi and Khanlarkhani and Moradi)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود ممقالهقاله لینک شده اند :

  • 1. Li, Z., Chen, Y., Li, X., Kamins, T.I., Nauka, ...
  • 2. Kelzenberg, M.D., Turner-Evans, D.B., Kayes, B.M., Filler, M.A., Putnam, ...
  • 3. Wu, H. and Cui, Y., "Designing nanostructured Si anodes ...
  • 4. Massoudi, A., Azim-Araghi, M. and Asl, M.K., " Fabrication ...
  • 6. Tian, B., Zheng, X., Kempa, T.J., Fang, Y., Yu, ...
  • 7. Chan, C.K., Peng, H., Liu, G., McIlwrath, K., Zhang, ...
  • 8. Hochbaum, A.I., Chen, R., Delgado, R.D., Liang, W., Garnett, ...
  • 9. Laer, R.V., Kuyken, B., Thourhout, D.V. and Baets, R., ...
  • 10. Dubal, D.P., Aradilla, D., Bidan, G., Gentile, P., Schubert, ...
  • 11. Hochbaum, A.I., Fan, R., He, R. and Yang, P., ...
  • 12. Tang, Y.H, Zhang, Y.F., Wang, N., Lee, C.S., Han, ...
  • 13. Juhasz, R., Elfström, N. and Linnros, J., "Controlled fabrication ...
  • 14. Han, H., Huang, Z. and Lee, W., "Metal-assisted chemical ...
  • 15. Geyer, N., et al., "Ag-mediated charge transport during metalassisted ...
  • 16. Zeis, R., Lei, T., Sieradzki, K., Snyder, J. and ...
  • 17. Hildreth, O., Rykaczewski, K. and Wong, C.P. "Participation of ...
  • 18. Yue, Z., Shen, H., Jiang , Y., Wang, W. ...
  • 19. Bai, F., Li, M., Song, D., Yu, H., Jiang, ...
  • 20. Divan, R., Rosenthal, D., Karim Ogando, K., Ocola, L.E., ...
  • 21. Chang, S.W., Chuang, V.P., Boles, S.T., Ross, C.A. and ...
  • 22. Peng, K., Hu, J.J., Yan, Y.J., Wu, Y., Fang, ...
  • مدیریت اطلاعات پژوهشی

    صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

    اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

    به اشتراک گذاری این صفحه

    اطلاعات بیشتر درباره COI

    COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

    کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

    پشتیبانی