اثر نانو ذرات ZnO:Fe و میدان مغناطیسی متناوب و مستقیم بر باکتری

اشریشیاکلی یکی از شایع ترین عوامل باکتریایی است که از عفونتهای انسانی جدا شده است. مقاومت دارویی این باکتری اهمیت زیادی به خصوص در بیماران بستری در بیمارستانها دارد. این باکتری از مهمترین علل میکروبی شایع در عفونتهای ادراری است و عامل بسیاری از عفونتهای بیمارستانی از قبل سپسیس، عفونت های زخم، گاستروانتریت و مننژیت نوزادی به شمار می رود.اشریشیاکلی، یکی از پاتوژنهای فرصت طلب بیمارستانی میباشد و به علت کسب پلاسمیدهایی که کد کننده بتالاکتاماز های وسیع الطیف هستند، به آنتی بیوتیک ها ی بتالاکتام مقاوم شده اند. به همین دلیل، درمان عفونتهای ناشی از اشریشیاکلی با مشکل مواجه شده است.و سرعت افزایش مقاومت ضد میکروبی در اشریشیا کلی در سرتاسر جهان گزارش شده است. سودسوزآور، سولفات آهن، کلرید روی از شرکت مرک آلمان مورد استفاده قرار گرفت. مواد اولیه را به صورت محلول در آوردیم و به روش شیمیایی مرطوب با مهار کننده، نانوذرات منظور شده را ساختیم. در مراحل ساخت و سنتز از مهارکننده ی مرکاپتواتانول C2H5OSH استفاده شد. سویه استاندارد باکتری های اشرشیاکلی پس از کشت 24 ساعته باکتری ها، غلظت معادل استاندارد ./5مک فارلند تهیه کردیم و به نسبت 1/9 در محیط کشت مولر هینتون براث رقیق کردیم تا کدورتی معادل1/5 × 107 به دست آمد. سپس توسط سواپ استریل با روش کشت چمنی بر روی پلیت حاوی محیط کشت MHA تلقیح کردیم. غلظتهای مورد نظر از نانوذرات ZnO:Fe به وسیله آب مقطر و بهروش سری رقت تهیه و به درون چاهک هایی که در سطح آگار ایجاد شده بود تزریق شد. پس از آن پلیت ها در دمای 37انکوبه شد. و در مرحله ی بعدی قطر هاله ها بررسی و اندازه گیری شد. بررسی میدان مغناطیسی: و همچنین اثر میدان مغناطیسی 2 و24 ساعته مستقیم و متناوب را بر روی پلیت باکتری حاوی نانوذره با دستگاه اصفهان تک با ولتاژ 24 ولت و تعداد 500دور سیم پیچ بررسی کردیم. لی و همکارانش اثر ضد میکروبی ZNO پوشش داده شده روی فیلم پلی وینیل کلراید را بر باکتری های گرم مثبت بررسی کرده و گزارش کردند که نانوذره ZNO علیه باکتری های گرم مثبت موثرتر از باکتری های گرم منفی عمل می کنند. آنها اثرات ضد میکروبی ترکیبات حاوی نانوذرات ZNO را با چندین مکانیسم توجیه کردند: (1القای استرس اکسیداتیو به دلیل تولید رادیکالهای اکسیژن فعال، واکنش این رادیکالهای اکسیژن فعال باDNA ، پروتئینها و لیپیدها و در نتیجه سبب مرگ سلول می شود. (2 از بین رفتن آرایش غشا به دلیل تجمع نانو ذرات در غشای باکتری و هم چنین تجمع آنها در درون سلول.3 آزادشدن یونهای ZN که با اتصال به غشای میکروارگانیسمها سبب اعمال اثر ضد میکروبی میشوند. با این حال سمیت نانو ذرات ZNOمستقیما به وارد شدن آنها به درون سلول نسبت داده نمیشود، بلکه تماس نزدیک آنها با سلول موجب تغییر در ریز محیط باکتری شده و با افزایش حلالیت فلز یا تولید رادیکالهای اکسیژن فعال در نهایت باعث آسیب به غشا میشوند. میدان مغناطیسی به همراه نانو ذرات با درصد غلضتهای متفاوت روی اکسید آلاییده شده با آهن بر توقف رشد باکتری استافیلوکوک اورئوس و اشرشیاکلی میدان بی تاثیر می باشد.پلیت را در میدان مغناطیسی مستقیم و متناوب قرار دادیم مشاهده کردیم میدان مغناطیسی مستقیم و متناوب تاثیری در کشندگی باکتری نداشت .همچنین تحقیقاتی در رابطه باتاثیرات میدان مغناطیسی به موجودات زنده انجام گرفته است. در پژوهشی محبت کار و قلی زاده ، میدان مغناطیسی الگوی حساسیت باکتری استافیلوکوکوس اورئوس را در برابر برخی آنتی بیوتک ها تغییر داد.

کلیدواژه ها:

اشریشیاکلی ، نانوذرات ، رادیکالهای آزاد ، میدان مغناطیسی