ارائه ساختاری جهت شبیه سازی یک ترانزیستور دوقطبی ( bipolar )بر اساس کاشت یونی آرسنیک
- سال انتشار: 1399
- محل انتشار: کنفرانس ملی صنعت برق و الکترونیک
- کد COI اختصاصی: EEICONF01_003
- زبان مقاله: فارسی
- تعداد مشاهده: 526
نویسندگان
خوزستان، دزفول گروه مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران
چکیده
کاشت بون یکی از مهمترین روش نفوذ ناخالصی به درون ويفر در صنایع قطعه سازی الکترونیک و میکروالکترونیک است و نسبت به روش دیگر (نفوذ) مزایای بسیاری را دارد و کاشت یون فرآیندی در مهندسی است که در آن یون های برخی مواد را می توان در ماده ای دیگر کاشت و ویژگی های فیزیکی آن ماده را تغییر داد و یک فناوری قوی و دقیق در ساخت آی سی های مهم و پیشرفته است. در این مقاله یک ساختار جدیدی برای ترانزیستورهای دو قطبی ارائه می شود که ناحیه امیتر و بیس با استفاده از کاشت یونی آرسنیک ایجاد می شوند. شبیه سازی ها نشان می دهد ترانزیستور ارائه شده می تواند جایگزین بسیار خوبی برای ترانزیستورهای دوقطبی متداول باشد.کلیدواژه ها
ترانزیستور دوقطبی - کاشت یون - نفوذمقالات مرتبط جدید
- ارزیابی اقتصادی و زیست محیطی سناریوهای ترکیب انرژی تجدیدپذیر در برنامه ریزی تولید برق ایران تا افق ۱۴۱۰
- بررسی فناوریها و استراتژیها برای بهینه سازی مصرف انرژی و افزایش کارایی در شبکه های توزیع
- فناوری اطلاعات و ارتباطات سبز
- Hoo Controller Design for a Quadruple-Tank Multivariable System: Robust Performance via Weighted Sensitivity Shaping
- تاثیر حیاتی همبستگیهای آماری ضعیف بادبار بر قابلیت اطمینان سیستمهای قدرت: دیدگاهی فراتر از مدلهای سنتی
اطلاعات بیشتر در مورد COI
COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.