مطالعه نانو صفحات گرافن توسط طیف نگاری رامن و اندازه‌گیری مقاومت ویژه آن

گرافن یک گزینه مناسب برای استفاده در الکترونیک با سرعت بالا در آینده است. یک لایه نازک از کربن خالص، که در آن هر اتم برای واکنش شیمیایی از دو طرف (به علت ساختار D 2) در دسترس است. این تنها شکل کربن (یا ماده جامد) با این ویژگی مشخص است. اکسید گرافن (GO) از طریق اکسیداسیون گرافیت به روش هومر، که در آن مدت زمان اکسایش طولانی با یک روش بسیار مؤثر برای خالص‌سازی محصولات واکنش، ترکیب شده است، سنتز شد. برای احیایGO، پس از اضافه کردن اسید اسکوربیک، نمونه بازپخت حرارتی شد. برای بررسی ساختار GO و G، از تصویر برداری میکروسکوپ الکترونی عبوری و همچنین طیف رامن نمونه‌ها استفاده شد. جهت محاسبه مقاومت ویژه گرافن، ضخامت گرافن به طریق اپتیکی به دست آمد. نتایج رامن نشان می‌دهد که پس از احیای اکسید گرافن به گرافن مد D (اغتشاش) به سمت عدد موج بالاتر جابه‌جا شده، در حالی که مد G به سمت عدد موج پایین‌تر به همراه افزایش شدت جابه‌جا می‌شود.

کلیدواژه ها:

گرافن ، اکسید گرافن ، روش اکسایش هامر ، میکروسکوپ الکترونی عبوری ، طیف نگاری رامن ، واپیچش