ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
CIVILICAWe Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

نواع روش های کا هش نشتی درمدارات(VLSI) cmos

سال انتشار: 1399
کد COI مقاله: INFM06_006
زبان مقاله: فارسیمشاهد این مقاله: 36
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 11 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله نواع روش های کا هش نشتی درمدارات(VLSI) cmos

مصطفی خشنود - دکتری الکترونیک , دانشگاه شهید چمران رشت
علیرضا انسپوی - کارشناسی الکترونیک دانشگاه شهیدچمران رشت

چکیده مقاله:

باپیشرفت روزافزون تکنولوژی برسرعت کوچک شدن فناوری cmos افزوده شده است با این وجود جریان های نشتی هنوز هم به عنوان یک اثر نامطلوب باقی مانده است این مسئله به شکلی جدی برخورد کرده است این جریان های نشتی باید برای یک نواخت کردن مدار به حداقل رساند طراحی این مدار cmos نانو که فاقد جریان نشتی باشدکار بسیار چالش برانگیزی است ما یک تکنیک مداری برای کاهش جریان نشتی mosfet ازطریق کنترل کردن ولتاژدرترمینال سورس mosfet ارائه دادیم.این تکنیک به این صورت است که اینورتر CMOS طراحی شده با استفاده از تکنیک پیشنهادی موجب پیشرفت 98 % و 30 % به ترتیب در تلفات استاتیک و توان کل در مقایسه با طراحی رایج آن شد. نتایج شبیه سازی گیت های NAND و NOR طراحی شده با استفاده از همین تکنیک، بهبود 15.89 درصدی و 18.83 درصدی در توان کل در مقایسه با طراحی های متداول مربوطه ی آنها را نتیجه داد. نوسان ساز حلقه ای 11 گامی CMOS با استفاده از تکنیک پیشنهادی، تحلیل شد، و نتایج شبیه سازی مربوطه گزارش شد. مقایسه ی مدارهای پیشنهادی به لحاظ تلفات توان و تأخیر با دو تکنیک موجود، ضرب توان -تأخیر خوب( PDP) را نتیجه داد.

کلیدواژه ها:

MOS ؛ توان نشتی؛ اینورتر CMOS ؛ تلفات توان کم.

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1153698/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
خشنود، مصطفی و انسپوی، علیرضا،1399،نواع روش های کا هش نشتی درمدارات(VLSI) cmos،ششمین کنفرانس ملی ایده های نوین در فنی و مهندسی،رشت،،،https://civilica.com/doc/1153698

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، خشنود، مصطفی؛ علیرضا انسپوی)
برای بار دوم به بعد: (1399، خشنود؛ انسپوی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 15,100
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی