بهبود بازدهی تقویت کننده توان ترانزیستوری GaN HEMT در باند فرکانسی L با استفاده از روش ردیابی پوش
سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 604
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF06_115
تاریخ نمایه سازی: 22 آذر 1399
چکیده مقاله:
تقویت کننده های توان یکی از اجزای مهم در ساختار فرستنده های مخابراتی محسوب میشود. بالابردن میزان بازدهی و خطینگی دو هدف بسیار مهم در طراحی تقویت کننده های توان میباشد. بالابردن میزان بازدهی باعث توان مصرفی کمتر، عمر منبع تغذیه طولانی تر و مدیریت گرمایی بهتر در یک تقویت کننده خواهد شد. بهبود خطینگی نیز باعث اعوجاج و خرابی کمتر در شکل موج سیگنال خروجی شده و امکان تقویت سیگنالها با دامنه بیشتری را میدهد. در این مقاله روش بهبود بازدهی تقویت کننده توان بر مبنای روش ردیابی پوش ارائه شده است. روش مذکور جهت بهبود بازدهی تقویت کننده های توان ارائه شده است. شبیه سازی های انجام شده با استفاده از نرمافزار ADS بر روی ترانزیستور فرکانس بالای GaN HEMT با توان خروجی 10W نشان میدهد که روش مذکور میتواند بازدهی توان افزوده بالای 42 درصد در محدوده فرکانسی 1.35GHz تا 1.65GHz و مقدار بیشینه ای 58 درصد در فرکانس 1.55GHz ارائه دهد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد سروری
مربی گروه برق، دانشکده فنی مهندسی فردوس، دانشگاه بیرجند، بیرجند
سیدمحمد رضوی
دانشیار گروه الکترونیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند
مهدی فروزانفر
استادیار گروه الکترونیک، دانشگاه بیرجند، بیرجند