بررسی عملکرد مالتی‌پلکسر سه ارزشی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی

سال انتشار: 1399
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 235

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-50-2_038

تاریخ نمایه سازی: 4 آذر 1399

چکیده مقاله:

با توجه به کاهش مقیاس قطعات نیمه‌هادی و مدارات مجتمع تا میزان محدوده نانومتر، صنعت نیمه‌هادی با چالش‌های زیادی روبرو خواهد بود. ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی به‌دلیل ابعاد بسیار کم، سرعت بالا و مصرف کم‌توان و همچنین به‌خاطر مشابه‌بودن عملکردشان با CMOS توجه طراحان مدارهای منطقی و سیستم دیجیتالی را جلب کرده‌اند. استفاده از منطق چند-ارزشی (MVL) به‌دلیل کاهش عملیات ریاضی، موجب کاهش سطح تراشه و کاهش توان مصرفی در مقایسه با منطق دو ارزشی می‌شود. در این مقاله یک طراحی جدید از مالتی‌پلکسر با منطق سه‌ارزشی مبتنی‌بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی (CNTFET) ارائه شده است. در نهایت، یک مقایسه از لحاظ توان و عملکرد مالتی‌پلکسر سه‌ارزشی CNTFET در برابر مالتی‌پلکسر سه‌ارزشی خانواده CMOS که طراحی آن نیز در این مقاله انجام شده، ارائه شده است. در ادامه نتایج شبیه‌سازی که با بهره‌گیری از نرم‌افزار HSPICE در تکنولوژی 32 نانومتر به‌دست آمده ارائه گردیده است. نتایج شبیه‌سازی بهبود 60% تا 65% در مقدار تأخیر، %96.4 تا 98% در مقدار توان مصرفی و تقریباً 99% در مقدار انرژی مصرفی مدار مالتی‌پلکسر سه ارزشی مبتنی‌بر CNTFET را نسبت به مدار مشابه مبتنی بر CMOS پیشنهادی نشان می‌دهد. همچنین PDP به‌میزان 99% بهبود می‌یابد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، مالتی‌پلکسر ، منطق چند ارزشی ، منطق سه ارزشی ، نانولوله کربنی

نویسندگان

الهام نیک بخت بیدگلی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه کاشان

داریوش دیدبان

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه کاشان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • [1]      G. Moore, “Moore’s law,” Electronics Magazine, vol. 38, 1965. ...
  • [2]      مهسا مهراد، میثم زارعی، "ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر ...
  • [3]      محمد کاظم انوری فرد، "انسداد میدان الکتریکی جانبی از ...
  • [4]      P. Avouris, R. Martel, V. Derycke and J. Appenzeller, ...
  • [5]      J. Guo, M. Lundstrom and S. Datta, “Performance projections ...
  • [6]      M. H. Moaiyeri, R. F. Mirzaee, K. Navi and ...
  • [7]      K. Roy, S. Mukhopadhyay and H. Mahmoodi-Meimand, “Leakage current ...
  • [8]      A. K. Jain, R. J. Bolton and M. H. ...
  • [9]      R. F. Mirzaee, K. Navi and N. Bagherzadeh, “High-efficient ...
  • [10]      E. Ozer, R. Sendag and D. Gregg, “Multiple-valued logic ...
  • [11]      M. H. Moaiyeri, R. F. Mirzaee, A. Doostaregan, K. ...
  • [12]      J. T. Butler and H. G. Kerkhoff, “Multiple-valued CCD ...
  • [13]      M. Davio and J.-P. Deschamps, “Synthesis of Discrete Functions ...
  • [14]      S. Onneweer, H. Kerkhoff and J. Butler, “Structural computer-aided ...
  • [15]      F. Pelayo, A. Prieto, A. Lloris and J. Ortega, ...
  • [16]      M. Bhat and H. Jamadagni, “Power optimization in current ...
  • [17]      J. Deng and H.-S. P. Wong, “A circuit-compatible SPICE ...
  • [18]      V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller and P. Avouris, ...
  • [19]      H. Hashempour and F. Lombardi, “An efficient and symbolic ...
  • [20]      Q. Zhao, M. B. Nardelli and J. Bernholc, “Ultimate ...
  • [21]      B. J. Cox and J. M. Hill, “Exact and ...
  • [22]      M. Batmunkh, M. J. Biggs and J. G. Shapter, ...
  • [23]      M. H. Moaiyeri, A. Doostaregan and K. Navi, “Design ...
  • [24]      M. A. Tehrani, F. Safaei, M. H. Moaiyeri and ...
  • [25]      P. Avouris, “Molecular electronics with carbon nanotubes,” Accounts of ...
  • [26]      Z. Kordrostami and M. H. Sheikhi, Fundamental physical aspects ...
  • [27]      A. Rahman, J. Guo, S. Datta and M. S. ...
  • [28]      Y. B. Kim, Y.-B. Kim and F. Lombardi, “A ...
  • [29]      F. Sharifi, M. H. Moaiyeri, K. Navi and N. ...
  • [30]      P. Keshavarzian, “Novel and general carbon nanotube FET-based circuit ...
  • [31]      S. Lin, Y.-B. Kim and F. Lombardi, “A novel ...
  • [32]      A. Raychowdhury and K. Roy, “A novel multiple-valued logic ...
  • [33]      A. Raychowdhury and K. Roy, “Carbon-nanotube-based voltage-mode multiple-valued logic ...
  • [34]      S. Lin, Y.-B. Kim and F. Lombardi, “CNTFET-based design ...
  • [35]      K. You and K. Nepal, “Design of a ternary ...
  • [36]      M. H. Moaiyeri, R. F. Mirzaee, A. Doostaregan, K. ...
  • [37]      K. Navi, M. Rashtian, A. Khatir, P. Keshavarzian and ...
  • [38]      M. Serra, “Applications of multi-valued logic to testing of ...
  • [39]      S. Lin, Y.-B. Kim and F. Lombardi, “CNTFET-based design ...
  • [40]      A. Rahman, J. Guo, S. Datta and M. S. ...
  • [41]      A. Rahman, J. Wang, J. Guo, M. S. Hasan, ...
  • [42]      D. Mann, A. Javey, J. Kong, Q. Wang and ...
  • [43]      H. Vani, R. Sagar and H. Rohini, “Multiplexer based ...
  • [44]      C. Vudadha, S. Katragadda and P. S. Phaneendra, “2: ...
  • نمایش کامل مراجع