طراحی و ساخت راه انداز کلید گازی تایراترون با پهنای پالسهفت میکروثانیه وسطح مثبت یککیلو ولت و سطح منفی 300 ولت
محل انتشار: دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,316
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE02_012
تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389
چکیده مقاله:
تایراترون یکوسیله کلیدزنی است که توانایی تحمل ولتاژ های خیلی بالا (دهها کیلوولت) و عبوردهی جریان های بالا (چندصد آمپر) را دارد . برای دستیابی به قابلیت کلیدزنی جریان بالا و ولتاژ بالا نیاز به یکراه انداز مناسب است.در این مقا له یک راه انداز با پهنای پالسهفت میکروثانیه و سطح مثبتkv1 و سطح منفیv300 جهت عملکرد بهینه تایراترون معرفی می گردد
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا پژ
دانشگاه صنعتی مالک اشتر - پردیس اصفهان- پژوهشکده علوم و فناوری اپتیک و
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :