راضیه فاتحی - ازمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک گروه مهندسی برق و کامپیوتر دانشکده
نسرین خزامی پور
ابراهیم اصل سلیمانی

لایه های نازک اکسید الومینیم Al2O3) برروی زیرلایه های Silicon(100) نوع P که سطح ان توسط کوره فسفر الاییده شده و نیز شیشه به روش کندوپاش RF در حضور پلاسمای ارگون در ضخامت های مختلف لایه نشانی گردیده و خواص الکتریکی عبور نوری لایه ها در ناحیه مرئی و مورفولوژی سطح بترتیب توسط انالیزهای C-V طیف سنجی UV/VIS/IR میکروسکوپ اسکن کننده الکترون و نوری بررسی شده است نتایج نشان میدهد که با افزایش ضخامت لایه های اکسید الومینیم عبور نوری لایه ها درناحیه مرئی کاهش می یابد و سطح لایه ناهموارتر می شود همچنین ظرفیت ساختار MOS و ثابت دی الکتریک لایه ها نیز با تغییر ضخامت تغییر می کنند.

اکسید الومینیم، ساختار MOS، کندوپاشRF، لایه های نازک